对比图
型号 VF20120C-E3/4W VF20120C-M3/4W NTSJ20120CTG
描述 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.54 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A肖特基二极管与整流器 20A,120V,TRENCH SKY RECT.肖特基势垒二极管，10A 至 25A，ON Semiconductor### 标准带 NSV- 或 SBR- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。### 二极管和整流器，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)
分类 二极管阵列二极管阵列二极管阵列
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - - 3
正向电压 900mV @10A 900mV @10A 1.1V @10A
正向电压(Max) 900mV @10A - 1.1 V
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃
无卤素状态 - - Halogen Free
正向电流 - - 20 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） - - 120 A
正向电流(Max) - - 20 A
长度 10.26 mm - 10.3 mm
宽度 4.83 mm - 4.7 mm
高度 8.89 mm - 8.2 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC