AO4800B和BSO350N03

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AO4800B BSO350N03 SP8K2TB

描述 AO4800B 编带OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-TransistorSP8K2 系列 30 V 6 A 30 mOhm 表面贴装 双 N 沟道 Mosfet - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Infineon (英飞凌) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 PG-DSO-8 SOIC-8

额定功率 1.3 W - -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 2 W - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 6.9A 6.00 A 6.00 A

上升时间 2.5 ns - 21.0 ns

输入电容(Ciss) 630pF @15V(Vds) 480pF @15V(Vds) 520pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 1.4 W 2 W

下降时间 4 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 2 W - -

额定电压(DC) - 30.0 V 30.0 V

额定电流 - 6.00 A 6.00 A

输入电容 - 480 pF -

栅电荷 - 3.70 nC -

封装 SOIC-8 PG-DSO-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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