对比图
型号 BUK6213-30C,118 NTD20N03L27T4G STD60N3LH5
描述 BUK6213 系列 30 V 14 mΩ N 沟道 TrenchMos 中等电平 FET - To-252ON SEMICONDUCTOR NTD20N03L27T4G. 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V V(BR)DSSSTMICROELECTRONICS STD60N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) - 30.0 V -
额定电流 - 20.0 A -
通道数 1 1 -
针脚数 - 4 3
漏源极电阻 - 0.023 Ω 7.6 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 60 W 74 W 60 W
阈值电压 - 1.6 V 1.8 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 47A 20.0 A 24.0 A
上升时间 11.4 ns 137 ns 33 ns
输入电容(Ciss) 1108pF @25V(Vds) 1260pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 60 W 1.75 W 60 W
下降时间 18.6 ns 31 ns 4.2 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 60W (Tc) 1.75W (Ta), 74W (Tc) 60W (Tc)
长度 - 6.73 mm -
宽度 - 6.22 mm -
高度 - 2.38 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2016/06/20 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -