MMBTA56WT1G和MMSTA56-7-F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBTA56WT1G MMSTA56-7-F MMBTA56WT1

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBTA56WT1G  Bipolar (BJT) Single Transistor, AEC-Q101, PNP, -80 V, 50 MHz, 150 mW, -500 mA, 100 hFE 新MMSTA56 系列 80 V 500 mA PNP 表面贴装 小信号 晶体管 -SOT-323-3驱动晶体管PNP硅 Driver Transistor PNP Silicon

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SC-70-3 SOT-323 SC-70-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) -80.0 V -40.0 V -80.0 V

额定电流 -500 mA -500 mA -500 mA

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 150 mW 0.2 W 150 mW

增益频宽积 - 50 MHz 50 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V

额定功率(Max) 150 mW 200 mW 150 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ 55 ℃

频率 50 MHz 50 MHz -

额定功率 - 0.2 W -

耗散功率(Max) 150 mW 200 mW -

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 100 - -

长度 - 2.2 mm 2.1 mm

宽度 - 1.35 mm 1.24 mm

高度 - 1 mm 0.85 mm

封装 SC-70-3 SOT-323 SC-70-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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