ICTE-12和MPTE-12G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ICTE-12 MPTE-12G 1N6376RL4G

描述 1500瓦峰值功率Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors1500瓦峰值功率Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors1500瓦峰值功率Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 TVS二极管

基础参数对比

安装方式 - - Through Hole

引脚数 - - 2

封装 41A-04 41A-04 DO-201AD

无卤素状态 - - Halogen Free

击穿电压 - - 14.1 V

电路数 - - 1

钳位电压 - - 16.5 V

最大反向电压(Vrrm) - 12V 12V

脉冲峰值功率 - 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 - - 14.1 V

长度 - - 9.5 mm

封装 41A-04 41A-04 DO-201AD

工作温度 - - -65℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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