对比图
型号 BSC057N08NS3 G IRFH5007TRPBF FDMS3572
描述 INFINEON BSC057N08NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 80 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.8 VTrans MOSFET N-CH 75V 17A 8Pin PQFN EP T/RUltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 8 8 8
封装 TDSON-8 PQFN-8 Power-56
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
通道数 1 1 -
漏源极电阻 0.0047 Ω 5.1 mΩ 16.5 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 3.6 W 2.5 W
产品系列 - IRFH5007 -
阈值电压 2.8 V 2 V 3.2 V
漏源极电压(Vds) 80 V 75 V 80 V
连续漏极电流(Ids) - 100 A 22.0 A
输入电容(Ciss) 2900pF @40V(Vds) 4290pF @25V(Vds) 2490pF @40V(Vds)
额定功率(Max) 114 W 3.6 W 2.5 W
额定电压(DC) - - 80.0 V
额定电流 - - 22.0 A
针脚数 8 - 8
输入电容 - - 2.49 nF
栅电荷 - - 40.0 nC
漏源击穿电压 - - 80.0 V
上升时间 - - 13 ns
下降时间 - - 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 114 W - 2.5W (Ta), 78W (Tc)
封装 TDSON-8 PQFN-8 Power-56
长度 5.35 mm - 5 mm
宽度 6.1 mm - 6 mm
高度 1.1 mm - 0.75 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 EAR99 - EAR99