SMBJ8.0AHE3/52和SMBJ8.0A-E3/52

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SMBJ8.0AHE3/52 SMBJ8.0A-E3/52 SMBJ8.0A-M3/5B

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 8.0V 1000W UniDir TransZorb 5% TolTRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装单向 600W,SMBJ 系列,Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器,Vishay SemiconductorESD 抑制器/TVS 二极管 8.0V 1000W UniDir TransZorb 5% Tol

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 -

封装 DO-214AA-2 DO-214AA DO-214AA-2

工作电压 8 V 8 V -

击穿电压 8.89 V - -

耗散功率 1 W - 1 W

钳位电压 13.6 V 13.6 V -

脉冲峰值功率 600 W 600 W 600 W

最小反向击穿电压 8.89 V 8.89 V 8.89 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

电路数 - 1 -

针脚数 - 2 -

测试电流 - 1 mA -

最大反向击穿电压 - 9.83 V -

封装 DO-214AA-2 DO-214AA DO-214AA-2

长度 - 4.57 mm -

宽度 - 3.94 mm -

高度 - 2.44 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

ECCN代码 - EAR99 -

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