W332M72V-133SBI和W3H32M72E-533SB2I

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 W332M72V-133SBI W3H32M72E-533SB2I W3E32M72SR-266SBI

描述 DRAM Module SDRAM 256MbyteDRAM MemoryDDR DRAM, 32MX72, 0.75ns, CMOS, PBGA208, 16 X 25 MM, PLASTIC, BGA-208

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类

基础参数对比

引脚数 208 208 -

封装 BGA BGA BGA

存取时间(Max) - 0.65 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

高度 - 3.08 mm -

封装 BGA BGA BGA

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Bulk Bulk

RoHS标准 -

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