对比图
描述 NPN晶体管（ 30A ， 100V ） NPN Transistor(30A, 100V)TO-3 PNP 80V 10ATrans GP BJT PNP 80V 7A 3Pin(2+Tab) TO-66
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-3 TO-3 TO-66
极性 NPN PNP -
耗散功率 200 W 5 W 90 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 80 V -
集电极最大允许电流 30A 10A -
最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @5A, 3V -
额定功率(Max) - 5 W -
工作温度(Max) - 175 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 200000 mW 5000 mW 90000 mW
封装 TO-3 TO-3 TO-66
工作温度 - -65℃ ~ 175℃ (TJ) -
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead -
ECCN代码 - EAR99 -