IRFR9110PBF和IRFR9110TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR9110PBF IRFR9110TRPBF IRFR9120NPBF

描述 VISHAY  IRFR9110PBF.  晶体管, MOSFET, P沟道, 3.1 A, -100 V, 1.2 ohm, -10 V, -4 VVISHAY  IRFR9110TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.1 A, -100 V, 1.2 ohm, -10 V, -4 VINFINEON  IRFR9120NPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 6.6 A, -100 V, 480 mohm, -10 V, -4 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252 TO-252 TO-252-3

额定电压(DC) -100 V - -

额定电流 -3.10 A - -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 1.2 Ω 1.2 Ω 0.48 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 25 W 25 W 40 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 -100 V - -

连续漏极电流(Ids) -3.10 A -3.10 A 6.6A

上升时间 27 ns - 47 ns

输入电容(Ciss) 200pF @25V(Vds) - 350pF @25V(Vds)

下降时间 17 ns - 31 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5 W 25 W 40W (Tc)

额定功率 - - 39 W

通道数 - - 1

阈值电压 - - 4 V

额定功率(Max) - - 40 W

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.38 mm 2.39 mm

封装 TO-252 TO-252 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

产品生命周期 - - Not For New Designs

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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