RN1101和PDTC143EE,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RN1101 PDTC143EE,115 DTC143ESA

描述 RN1101 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 4.7k 4.7k SOT-523/ESM marking/标记 XA 开关 逆变电路 接口电路和驱动器电路应用NXP  PDTC143EE,115  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-416数字晶体管(内置电阻) Digital transistors (built-in resistors)

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) NXP (恩智浦) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 SOT-523 SOT-416-3 -

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

耗散功率 - 0.15 W -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @10mA, 5V -

额定功率(Max) - 150 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 150 mW -

封装 SOT-523 SOT-416-3 -

高度 - 0.85 mm -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台