对比图
型号 IRG4PC50FPBF STGP10NB60S HGTG30N60C3D
描述 INFINEON IRG4PC50FPBF 单晶体管, IGBT, 70 A, 1.79 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚STMICROELECTRONICS STGP10NB60S 单晶体管, IGBT, 29 A, 1.35 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 引脚FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60C3D 单晶体管, IGBT, 63 A, 1.8 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-247-3
额定电压(DC) - 600 V 600 V
额定电流 - 10.0 A 30.0 A
额定功率 200 W - 208 W
针脚数 3 3 3
极性 N-Channel N-Channel NPN
耗散功率 200 W 80 W 208 W
上升时间 25.0 ns - 45.0 ns
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
反向恢复时间 - - 60 ns
额定功率(Max) 200 W 80 W 208 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 200000 mW 80000 mW 208000 mW
漏源极电压(Vds) - 600 V -
连续漏极电流(Ids) - 10.0 A -
长度 15.9 mm 10.4 mm 15.87 mm
宽度 5.3 mm 4.6 mm 4.82 mm
高度 20.3 mm 9.15 mm 20.82 mm
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99