MMBT2222AWT1G和SMMBT2222AWT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT2222AWT1G SMMBT2222AWT1G MMBT2222AWT3G

描述 NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR NPN 40VMMBT2222A 系列 40 V 600 mA 通用 晶体管 - SOT-323 (SC-70)

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-70-3 SC-70-3 SC-70-3

频率 300 MHz - 300 MHz

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 150 mW 150 mW 0.15 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 150 mW 150 mW 150 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150 mW 150 mW 150 mW

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 28.0 A - -

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 300 - -

封装 SC-70-3 SC-70-3 SC-70-3

长度 2.2 mm - -

宽度 1.35 mm - -

高度 1 mm - -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - -

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