对比图
型号 IR2101SPBF IR2101STRPBF IR2101S
描述 INFINEON IR2101SPBF 芯片, MOSFET驱动器 高边&低边INFINEON IR2101STRPBF 芯片, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, SOIC-8600V High and Low Side Driver IC with typical 0.21A source and 0.36A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP.
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
电源电压(DC) 10.0V (min) 10.0V (min) 20.0V (max)
上升/下降时间 100ns, 50ns 100ns, 50ns 100ns, 50ns
输出接口数 2 2 2
输出电压 - 10V ~ 20V ≤20.0 V
产品系列 - - IR2101
电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
工作电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V -
输出电流 210 mA 210 mA -
通道数 2 2 -
针脚数 8 8 -
耗散功率 625 mW 0.625 W -
静态电流 270 µA 270 µA -
上升时间 170 ns 170 ns -
下降时间 90 ns 90 ns -
下降时间(Max) 90 ns 90 ns -
上升时间(Max) 170 ns 170 ns -
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -
耗散功率(Max) 625 mW 625 mW -
电源电压(Max) 20 V 20 V -
电源电压(Min) 10 V 10 V -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 5 mm 5 mm -
宽度 4 mm 4 mm -
高度 1.5 mm 1.5 mm -
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 2018/06/27 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -