CY7C1413AV18-250BZC和CY7C1413AV18-250BZCT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1413AV18-250BZC CY7C1413AV18-250BZCT CY7C1413AV18-250BZXC

描述 36 - Mbit的QDR - II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst ArchitectureSRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165Pin FBGA T/R36 - Mbit的QDR - II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 LBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

引脚数 165 - 165

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

位数 18 - 18

存取时间(Max) 0.45 ns - 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

电源电压(DC) - - 1.80 V, 1.90 V (max)

时钟频率 - - 250MHz (max)

存取时间 - - 250 µs

内存容量 - - 36000000 B

电源电压(Max) - - 1.9 V

电源电压(Min) - - 1.7 V

封装 LBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

高度 0.89 mm - 0.89 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台