对比图
型号 IRFR210PBF IRFR220NPBF IRFR220PBF
描述 VISHAY IRFR210PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 200 V, 1.5 ohm, 10 V, 4 VINFINEON IRFR220NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 600 mohm, 10 V, 4 VVISHAY IRFR220PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.8 A, 200 V, 800 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252
额定电压(DC) 200 V - 200 V
额定电流 2.60 A - 4.80 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 1.5 Ω 0.6 Ω 0.8 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 25 W 43 W 42 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
输入电容 140pF @25V 300 pF 260pF @25V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V - 200 V
连续漏极电流(Ids) 2.60 A 5A 4.80 A
上升时间 17 ns 11 ns 22 ns
输入电容(Ciss) - 300pF @25V(Vds) 260pF @25V(Vds)
下降时间 8.9 ns 12 ns 13 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 43W (Tc) 2.5 W
额定功率 - 43 W -
额定功率(Max) - 43 W -
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.38 mm 2.39 mm 2.39 mm
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube Tube Tube
产品生命周期 - Active -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -