DS1220AB-200IND和DS1220AB-200+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1220AB-200IND DS1220AB-200+ DS1220AB-200IND+

描述 IC NVSRAM 16Kbit 200NS 24DIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AB-200+  芯片, 存储器, NVRAMNon-Volatile SRAM Module, 2KX8, 200ns, CMOS, 0.72INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DIP-24 EDIP-24 EDIP-24

引脚数 24 24 -

存取时间 200 ns 200 ns 200 ns

工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 40 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(Max) - 5.25 V 5.25 V

电源电压(Min) - 4.75 V 4.75 V

电源电压(DC) 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max) -

针脚数 - 24 -

时钟频率 200 GHz 200 GHz -

内存容量 16000 B 2000 B -

长度 - 34.04 mm 38.1 mm

宽度 - 18.29 mm 18.8 mm

高度 - 9.4 mm 10.67 mm

封装 DIP-24 EDIP-24 EDIP-24

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

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