VN0606L-G和ZVP2106A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VN0606L-G ZVP2106A 2SK3018T106

描述 Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3Pin TO-92DIODES INC.  ZVP2106A  晶体管, MOSFET, P沟道, -280 mA, -60 V, 4 ohm, -10 V, -3.5 VROHM  2SK3018T106  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Diodes (美台) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 SOT-323

额定电压(DC) - -60.0 V 30.0 V

额定电流 - -280 mA 100 mA

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 4 Ω 8 Ω

极性 - P-Channel N-Channel

耗散功率 1 W 700 mW 200 mW

阈值电压 - 3.5 V 1.5 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 30 V

漏源击穿电压 - 60 V 30.0 V

连续漏极电流(Ids) - 320 mA 100 mA

上升时间 - 5 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 50 pF 100pF @18V(Vds) 13pF @5V(Vds)

额定功率(Max) - 700 mW 200 mW

下降时间 - 15 ns 80 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 1W (Tc) 700 mW 200mW (Ta)

额定功率 1 W - -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

通道数 - 1 -

输入电容 - 100 pF -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

封装 TO-92-3 TO-92-3 SOT-323

长度 - 6.7 mm -

宽度 - 3.7 mm -

高度 - 1.65 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Unknown Active Not For New Designs

包装方式 Bag Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99

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