对比图
型号 FD250R65KE3-K FD250R65KE3KNOSA1 FD200R65KF2KNOSA1
描述 IGBT模块6500V IHV 130mm chopper IGBT Module with IGBT3 - The best solution for your traction and industry applicationsInsulated Gate Bipolar Transistor, 800A I(C), 6300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类
引脚数 - 7 -
封装 A-IHV130-6 A-IHV130-6 -
击穿电压(集电极-发射极) - 6500 V -
输入电容(Cies) - 69nF @25V -
额定功率(Max) - 4800 W -
工作温度(Max) - 125 ℃ -
工作温度(Min) - -50 ℃ -
耗散功率(Max) - 1000000 mW -
封装 A-IHV130-6 A-IHV130-6 -
工作温度 - -50℃ ~ 125℃ -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 - Tray -
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -
含铅标准 Contains Lead Contains Lead -