对比图
型号 STP19NM50N STP7NM60N STP90N55F4
描述 N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STP7NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 0.84 ohm, 10 V, 3 VTO-220 N-CH 55V 90A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.2 Ω 0.84 Ω 6.4 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 110 W 45 W 150 W
阈值电压 3 V 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 500 V 600 V 55 V
上升时间 16 ns 10 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 1000pF @50V(Vds) 363pF @50V(Vds) 4800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W 45 W 150 W
下降时间 17 ns 12 ns 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 45W (Tc) 150W (Tc)
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 55 V
连续漏极电流(Ids) - - 90A
长度 10.4 mm - -
宽度 4.6 mm - -
高度 15.75 mm - -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -