对比图
型号 FQB50N06 FQB50N06TM FQB50N06LTM
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB50N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 22 mohm, 10 V, 4 VQFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB50N06LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 52.4 A, 60 V, 0.017 ohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 3 3 3
封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 22 mΩ 22 mΩ 0.017 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 120 W 3.75 W 121 W
阈值电压 4 V - 2.5 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 50.0 A 50.0 A 52.4 A
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
额定电压(DC) - 60.0 V 60.0 V
额定电流 - 50.0 A 52.4 A
漏源击穿电压 - 60 V 60.0 V
栅源击穿电压 - ±25.0 V ±20.0 V
上升时间 - 105 ns 380 ns
输入电容(Ciss) - 1540pF @25V(Vds) 1630pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 3.75 W 3.75 W
下降时间 - 65 ns 145 ns
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 3.75W (Ta), 120W (Tc) 3.75W (Ta), 121W (Tc)
通道数 - 1 -
封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.67 mm 10.67 mm
宽度 - 9.65 mm 9.65 mm
高度 - 4.83 mm 4.83 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 EAR99