LM5101BMA/NOPB和LM25101BMA/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM5101BMA/NOPB LM25101BMA/NOPB LM5101BMA

描述 MOSFET & IGBT 驱动器,Texas InstrumentsLM25101A / B / C 3A ,2A和1A 80V半桥栅极驱动器 LM25101A/B/C 3A, 2A, and 1A 80V Half-Bridge Gate DriversTEXAS INSTRUMENTS  LM5101BMA  双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9V-14V电源, 2A输出, 22ns延迟, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 14.0V (max) - 9.00V (min)

上升/下降时间 570ns, 430ns 570ns, 430ns 570ns, 430ns

输出接口数 2 2 2

输出电压 - - 118 V

输出电流 - - 2.00 A

针脚数 - - 8

静态电流 200 µA - 200 µA

下降时间(Max) 430 ns 430 ns 430 ns

上升时间(Max) 570 ns 570 ns 570 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 9V ~ 14V 9V ~ 14V 9V ~ 14V

电源电压(Max) 14 V - 14 V

电源电压(Min) 9 V - 9 V

上升时间 570 ns 570 ns -

下降时间 430 ns 430 ns -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - -

宽度 3.9 mm - -

高度 1.45 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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