对比图
描述 2个N沟道 60V 3.3ASTMICROELECTRONICS STS4DNF60L 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V
额定电流 3.00 A 4.00 A
漏源极电阻 100 mΩ 0.045 Ω
极性 N-Channel N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 2 W 2.5 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±15.0 V
连续漏极电流(Ids) 3.30 A 4.00 A
额定功率(Max) 2 W 2 W
耗散功率(Max) 2 W 2000 mW
通道数 - 2
针脚数 - 8
阈值电压 - 1.7 V
上升时间 - 28 ns
输入电容(Ciss) - 1030pF @25V(Vds)
下降时间 - 10 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
封装 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 5 mm
宽度 - 4 mm
高度 - 1.25 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99