PD57070-E和PD57070S-E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PD57070-E PD57070S-E PD57070S

描述 RF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF

频率 945 MHz 945 MHz 945 MHz

耗散功率 95000 mW 95000 mW 95 W

输出功率 70 W 70 W 70 W

增益 14.7 dB 14.7 dB 14.7 dB

测试电流 250 mA 250 mA 250 mA

输入电容(Ciss) 91pF @28V(Vds) 91pF @28V(Vds) -

工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 95000 mW 95000 mW -

额定电压 65 V 65 V 65 V

极性 - - N-Channel

漏源击穿电压 - - 65 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 7.00 A

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF

长度 - - 7.5 mm

宽度 - - 9.4 mm

高度 - - 3.5 mm

工作温度 -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 165℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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