MJ802和MJ802G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJ802 MJ802G 2N5301

描述 STMICROELECTRONICS  MJ802  单晶体管 双极, NPN, 90 V, 2 MHz, 200 W, 30 A, 100 hFEON SEMICONDUCTOR  MJ802G  单晶体管 双极, AEC-Q100, NPN, 90 V, 2 MHz, 200 W, 30 A, 25 hFE 新MULTICOMP  2N5301  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 2 MHz, 200 W, 30 A, 40 hFE

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) Multicomp

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 TO-3 TO-204-2 TO-3

频率 2 MHz 2 MHz -

额定电压(DC) 90.0 V 90.0 V -

额定电流 30.0 A 30.0 A -

针脚数 2 2 2

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 200 W 200 W 200 W

集电极击穿电压 100 V - -

击穿电压(集电极-发射极) 90 V 90 V 40.0 V

最小电流放大倍数(hFE) 25 @7.5A, 2V 25 -

额定功率(Max) 200 W 200 W -

直流电流增益(hFE) 100 25 40

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 200000 mW 200000 mW -

热阻 - 0.875℃/W (RθJC) -

集电极最大允许电流 - 30A -

封装 TO-3 TO-204-2 TO-3

长度 - 39.37 mm -

宽度 - 26.67 mm -

高度 - 8.51 mm -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Bag Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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