IRLML6244TRPBF和SI2312CDS-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLML6244TRPBF SI2312CDS-T1-GE3 NTR4501NT1G

描述 INFINEON  IRLML6244TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 20 V, 21 mohm, 4.5 V, 0.9 VVISHAY  SI2312CDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 20 V, 26500 µohm, 4.5 V, 450 mVON SEMICONDUCTOR  NTR4501NT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 20 V, 80 mohm, 4.5 V, 1.2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

额定功率 1.3 W - 1.25 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 21 mΩ 0.0265 Ω 0.08 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.3 W 1.25 W 1.25 W

阈值电压 900 mV 450 mV 1.2 V

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 6.3A - 3.20 A

上升时间 7.5 ns 17 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 700pF @16V(Vds) - 200pF @10V(Vds)

下降时间 12 ns 8 ns 3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 1.3W (Ta) - 1.25 W

额定电压(DC) - - 20.0 V

额定电流 - - 3.20 A

无卤素状态 - - Halogen Free

漏源击穿电压 - - 20.0 V

栅源击穿电压 - - ±12.0 V

额定功率(Max) - - 1.25 W

长度 3.04 mm - 2.9 mm

宽度 1.4 mm - 1.3 mm

高度 1.02 mm - 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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