IPP093N06N3GXKSA1和IPP230N06L3GXKSA1

对比图

型号 IPP093N06N3GXKSA1 IPP230N06L3GXKSA1 IPP230N06L3G

描述 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP093N06N3GXKSA1, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装TO-220 N-CH 60V 30A的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS?3 Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220

额定功率 71 W - -

极性 N-Channel N-CH -

耗散功率 71 W 36000 mW -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

连续漏极电流(Ids) 50A 30A -

上升时间 40 ns 3 ns -

输入电容(Ciss) 2900pF @30V(Vds) 1200pF @30V(Vds) -

额定功率(Max) 71 W - -

下降时间 5 ns 3 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 71W (Tc) 36000 mW -

长度 10.36 mm - -

宽度 15.95 mm - -

高度 4.57 mm - -

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -