对比图
型号 STD6NK50ZT4 STW20NK50Z FQD5N50CTM
描述 N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道 500V 4A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-252-3 TO-247-3 TO-252-3
额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V
额定电流 5.60 A 17.0 A 5.00 A
漏源极电阻 0.93 Ω 0.23 Ω 1.40 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 90 W 190 W 2.5 W
阈值电压 3.75 V 3.75 V -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 5.60 A 17.0 A 4.00 A
上升时间 23.5 ns 20 ns 46 ns
输入电容(Ciss) 690pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 625pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 90 W 190 W 2.5 W
下降时间 23 ns 15 ns 48 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 90W (Tc) 190W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc)
漏源击穿电压 - 500 V 500 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V
额定功率 - 190 W -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
输入电容 - 2600 pF -
长度 6.6 mm 15.75 mm 6.73 mm
宽度 6.2 mm 5.15 mm 6.22 mm
高度 2.4 mm 20.15 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-247-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/06/16 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99