STF9NK90Z和STP11NK50ZFP

对比图

型号 STF9NK90Z STP11NK50ZFP 2SK3799(Q)

描述 STMICROELECTRONICS  STF9NK90Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 900 V, 1.1 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS  STP11NK50ZFP  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 500 V, 520 mohm, 10 V, 3.75 VTO-220SIS N-CH 900V 8A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 3 -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 40 W 30 W 50 W

漏源极电压(Vds) 900 V 500 V 900 V

连续漏极电流(Ids) 3.60 A 10.0 A 8A

输入电容(Ciss) 2115pF @25V(Vds) 1390pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 40 W 30 W 50 W

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 1.1 Ω 0.52 Ω -

阈值电压 3.75 V 3.75 V -

输入电容 - 1390 pF -

漏源击穿电压 - 500 V -

上升时间 13 ns 18 ns -

下降时间 28 ns 15 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 40W (Tc) 30000 mW -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.4 mm 10.4 mm -

宽度 4.6 mm 4.6 mm -

高度 16.4 mm 9.3 mm -

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active Active -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 NLR - -