STF9NK90Z

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STF9NK90Z概述

STMICROELECTRONICS  STF9NK90Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 900 V, 1.1 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics


立创商城:
N沟道 900V 8A


得捷:
MOSFET N-CH 900V 8A TO-220FP


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STF9NK90Z, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 900 V, 1.1 ohm, 10 V, 3.75 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 40W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STF9NK90Z  Power MOSFET, N Channel, 3.6 A, 900 V, 1.1 ohm, 10 V, 3.75 V


Win Source:
N-CHANNEL 900V - 1.1W - 8A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-Protected SuperMESHPower MOSFET


STF9NK90Z中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 40 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 3.60 A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 2115pF @25VVds

额定功率Max 40 W

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 16.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

STF9NK90Z引脚图与封装图
STF9NK90Z引脚图
STF9NK90Z封装焊盘图
在线购买STF9NK90Z
型号: STF9NK90Z
描述:STMICROELECTRONICS  STF9NK90Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 900 V, 1.1 ohm, 10 V, 3.75 V
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