FDC3612和FDC3612_F095

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDC3612 FDC3612_F095

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC3612  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 100 V, 125 mohm, 10 V, 2.3 VMOSFET N-CH 100V 2.6A 6-SSOT

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 6 -

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6

安装方式 Surface Mount Surface Mount

针脚数 6 -

漏源极电阻 125 mΩ -

耗散功率 1.6 W 1.6W (Ta)

阈值电压 2.3 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

上升时间 3.5 ns -

输入电容(Ciss) 660pF @50V(Vds) 660pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 800 mW -

下降时间 3.7 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1.6 W 1.6W (Ta)

极性 N-Channel N-CH

连续漏极电流(Ids) 2.60 A 2.6A

额定电压(DC) 100 V -

额定电流 2.60 A -

输入电容 660 pF -

栅电荷 14.0 nC -

漏源击穿电压 100 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V -

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6

长度 3 mm -

宽度 1.7 mm -

高度 1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 -

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