IRFS3006PBF和SUM110N06-3M4L-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS3006PBF SUM110N06-3M4L-E3 IRFS3206PBF

描述 INFINEON  IRFS3006PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 270 A, 60 V, 0.002 ohm, 10 V, 4 VN 通道 MOSFET,60V 至 90V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay SemiconductorINFINEON  IRFS3206PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 60 V, 0.0024 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3

额定功率 375 W - 300 W

通道数 1 - -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.002 Ω 0.0028 Ω 0.0024 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 375 W 375 W 300 W

阈值电压 4 V 1 V 4 V

输入电容 8970pF @50V - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 270A 110 A 210A

上升时间 182 ns - 82 ns

输入电容(Ciss) 8970pF @50V(Vds) 12900pF @25V(Vds) 6540pF @50V(Vds)

下降时间 189 ns - 83 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 375000 mW 3.7 W 300W (Tc)

额定功率(Max) - - 300 W

长度 10.67 mm 10.41 mm 10.67 mm

宽度 9.65 mm 9.65 mm 9.65 mm

高度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - -

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