DTA113TKA和DTA113TKAT146

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTA113TKA DTA113TKAT146 DTA113TKAT147

描述 数字晶体管(内置电阻) Digital transistor (built in resistor)1个PNP-预偏置 100mA 50VSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 SMT SOT-23-3 -

额定电压(DC) - -50.0 V -

额定电流 - -100 mA -

极性 PNP PNP -

耗散功率 - 200 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @1mA, 5V -

额定功率(Max) - 200 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

增益带宽 - 250 MHz -

耗散功率(Max) - 200 mW -

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.6 mm -

高度 - 1.1 mm -

封装 SMT SOT-23-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Not Recommended Not Recommended for New Designs Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

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