IPB065N06LG和STB80NF55-06T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB065N06LG STB80NF55-06T B-8-0

描述 OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-TransistorD2PAK N-CH 55V 80A80A, 55V, 0.0065ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, D2PAK-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 D2PAK D2PAK-263 D2PAK

极性 - N-CH -

漏源极电压(Vds) 60.0 V 55 V -

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80A -

上升时间 - 155 ns -

输入电容(Ciss) - 4400pF @25V(Vds) -

下降时间 - 65 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 300000 mW -

额定电压(DC) 60.0 V - -

额定电流 80.0 A - -

输入电容 5.10 nF - -

栅电荷 157 nC - -

封装 D2PAK D2PAK-263 D2PAK

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

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