对比图
型号 IPB065N06LG STB80NF55-06T B-8-0
描述 OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-TransistorD2PAK N-CH 55V 80A80A, 55V, 0.0065ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, D2PAK-3
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 晶体管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 - 3 -
封装 D2PAK D2PAK-263 D2PAK
极性 - N-CH -
漏源极电压(Vds) 60.0 V 55 V -
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80A -
上升时间 - 155 ns -
输入电容(Ciss) - 4400pF @25V(Vds) -
下降时间 - 65 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 300000 mW -
额定电压(DC) 60.0 V - -
额定电流 80.0 A - -
输入电容 5.10 nF - -
栅电荷 157 nC - -
封装 D2PAK D2PAK-263 D2PAK
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 Tape Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - -