对比图
型号 CSD17585F5 CSD17585F5T CSD13381F4
描述 CSD17585F5 30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.8x1.5、33mΩ 3-PICOSTAR -55 to 15012V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，CSD13381F4
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 1.4 W 1.4 W 500 mW
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 12 V
连续漏极电流(Ids) 5.9A 5.9A 2.1A
上升时间 4 ns 4 ns 1.5 ns
输入电容(Ciss) 380pF @15V(Vds) 380pF @15V(Vds) 200pF @6V(Vds)
下降时间 11 ns 11 ns 3.8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
通道数 - - 1
漏源极电阻 - 0.022 Ω 180 mΩ
阈值电压 - 1.3 V 850 mV
漏源击穿电压 - - 12 V
额定功率(Max) - - 500 mW
封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3
长度 - - 1 mm
宽度 - - 0.64 mm
高度 - - 0.35 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅 Lead Free
REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
香港进出口证 - - NLR