对比图
型号 FDB045AN08A0 IRFR1205PBF STB160N75F3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB045AN08A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IRFR1205PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 4 VN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
额定功率 - 69 W -
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 4.5 mΩ 0.027 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 310 W 69 W 330 W
阈值电压 4 V 4 V -
漏源极电压(Vds) 75 V 55 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 44A 60.0 A
上升时间 88 ns 69 ns 65 ns
输入电容(Ciss) 6600pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 6750pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 310 W 107 W 330 W
下降时间 45 ns 60 ns 15 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 310W (Tc) 107W (Tc) 330W (Tc)
额定电压(DC) 75.0 V - -
额定电流 19.0 A - -
输入电容 6.60 nF - -
栅电荷 92.0 nC - -
漏源击穿电压 75.0 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
长度 10.67 mm 6.73 mm 10.75 mm
宽度 9.65 mm 6.22 mm 10.4 mm
高度 4.83 mm 2.39 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
ECCN代码 EAR99 - -