对比图
型号 IRF3415 IRF3415STRLPBF IRF3415PBF
描述 TO-220AB N-CH 150V 43AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRF3415PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 150 V, 42 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220 TO-263-3 TO-220-3
额定电压(DC) 150 V - 150 V
额定电流 43.0 A - 43.0 A
额定功率 - 200 W 200 W
通道数 - - 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 42.0 mΩ 0.042 Ω 0.042 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 200 W 3.8 W 200 W
产品系列 IRF3415 - IRF3415
阈值电压 - 4 V 4 V
输入电容 - 2400 pF 2400pF @25V
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V
漏源击穿电压 150V (min) - 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 43.0 A 43A 43.0 A
上升时间 55 ns 55 ns 55 ns
热阻 - - 0.75℃/W (RθJC)
输入电容(Ciss) - 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 3.8 W 200 W
下降时间 69 ns 69 ns 69 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 3.8W (Ta), 200W (Tc) 200W (Tc)
长度 - 10.67 mm 10 mm
宽度 - 9.65 mm 4.4 mm
高度 - 4.83 mm 8.77 mm
封装 TO-220 TO-263-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17