MMBT2222ALT1G和NSCT2222ALT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT2222ALT1G NSCT2222ALT1G MMBT2222A

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBT2222ALT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 600 mA, 300 hFESOT-23 NPN 40V 0.6AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT2222A  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 350 mW, 1 A, 300 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 300 MHz - 300 MHz

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V 40.0 V

额定电流 600 mA - 500 mA

额定功率 225 mW - -

针脚数 3 - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 225 mW - 350 mW

增益频宽积 300 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 350 mW

直流电流增益(hFE) 300 - 300

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW - 0.35 W

最大电流放大倍数(hFE) - - 300

长度 2.9 mm - 2.92 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 0.94 mm - 0.93 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 NLR - NLR

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