MMBT2222AWT1和MMST2222A-7-F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT2222AWT1 MMST2222A-7-F KSP2222ATF

描述 通用晶体管 General Purpose TransistorMMST2222A 系列 40 V 200 mW NPN 小信号 表面贴装 晶体管 - SOT-323-3NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 SC-70-3 SOT-323 TO-226-3

频率 - 300 MHz 300 MHz

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V 40.0 V

额定电流 600 mA 600 mA 600 mA

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 150 mW 200 mW 0.625 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 35

最大电流放大倍数(hFE) - 300 -

额定功率(Max) 150 mW 200 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) - 100 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150 mW 200 mW 625 mW

集电极最大允许电流 0.6A - 0.6A

增益频宽积 300 MHz - -

封装 SC-70-3 SOT-323 TO-226-3

长度 2.1 mm - 4.58 mm

宽度 1.24 mm - 3.86 mm

高度 0.85 mm - 4.58 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

军工级 - Yes -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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