2N6277和JAN2N6277

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6277 JAN2N6277 JANTX2N6277

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORPNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTORPNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-3 TO-204 TO-3

极性 - NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) - 150 V 150 V

集电极最大允许电流 - 50A 50A

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @20A, 4V 30 @20A, 4V

额定功率(Max) - 250 W 250 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 250000 mW 250000 mW 250000 mW

耗散功率 250 W - 250 W

封装 TO-3 TO-204 TO-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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