BSP250,135和BSP250,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP250,135 BSP250,115 NTF5P03T3G

描述 BSP 系列 -30 V 250 mΩ 5 W P沟道 增强模式 D-MOS 晶体管 SOT-223NXP  BSP250,115  晶体管, MOSFET, P沟道, -1 A, -30 V, 250 mohm, -10 V, -2.8 VON SEMICONDUCTOR  NTF5P03T3G  晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -30 V, 100 mohm, 10 V, -1.75 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 4

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

通道数 1 - 1

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1.65 W 5 W 3.13 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 3A -2.80 mA 5.20 A, 5.00 A

输入电容(Ciss) 250pF @20V(Vds) 250pF @20V(Vds) 950pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1.65 W 1.65 W 1.56 W

耗散功率(Max) 1.65W (Ta) 1.65W (Ta) 1.56W (Ta)

针脚数 - 3 4

漏源极电阻 - 0.25 Ω 0.1 Ω

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - - -30.0 V

额定电流 - - -5.20 A

阈值电压 - - 1.75 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

上升时间 - - 33.0 ns

宽度 3.7 mm 3.7 mm 3.7 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

长度 - 6.7 mm 6.7 mm

高度 - 1.7 mm 1.65 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2016/06/20

ECCN代码 - - EAR99

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