对比图
型号 ZXMC3A16DN8TA ZXMC3A16DN8TC
描述 ZXMC3A16 系列 30 V 6.4 A 2.1 W 互补型 N 和 P 沟道 Mosfet - SOIC-8ZXMC3A16 系列 30 V 6.4 A 2.1 W 互补型 N 和 P 沟道 Mosfet - SOIC-8
数据手册 --
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V
额定电流 6.40 A 6.40 A
针脚数 8 -
漏源极电阻 0.035 Ω 50.0 mΩ
极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel
耗散功率 2.1 W 2.1 W
阈值电压 1 V -
输入电容 796 pF 796 pF
栅电荷 17.5 nC 17.5 nC
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V ±30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 5.40 A 5.40 A
上升时间 6.4 ns 6.4 ns
输入电容(Ciss) 796pF @25V(Vds) 796pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W
下降时间 9.4 ns 9.4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
工作结温(Max) 150 ℃ -
耗散功率(Max) 2100 mW -
额定功率 - 2.1 W
长度 5 mm -
宽度 4 mm -
高度 1.5 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 -