对比图
型号 BUZ30A BUZ31 IRF640NSTRLPBF
描述 Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorINFINEON IRF640NSTRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3
额定电压(DC) 200 V 200 V -
额定电流 21.0 A 14.5 A -
漏源极电阻 - 200 mΩ 0.15 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125000 mW 95 W 150 W
阈值电压 - 3 V 4 V
输入电容 - 1.12 nF 1160 pF
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 21.0 A 14.5 A 18A
上升时间 70 ns 50 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 1900pF @25V(Vds) 1120pF @25V(Vds) 1160pF @25V(Vds)
下降时间 90 ns 60 ns 5.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125W (Tc) 95W (Tc) 150W (Tc)
额定功率 125 W - 150 W
针脚数 - - 3
额定功率(Max) 125 W - 150 W
通道数 1 - -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3
长度 10 mm - 10.67 mm
宽度 4.4 mm - 9.65 mm
高度 9.25 mm - 4.83 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2014/12/17 2015/12/17