DTA124EKAT146和DTA124XM3T5G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTA124EKAT146 DTA124XM3T5G FJV4103RMTF

描述 ROHM  DTA124EKAT146  单晶体管 双极, 数字式, PNP, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 56 hFE数字晶体管( BRT ) PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors (BRT) PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network特点•开关应用(偏置电阻内置)•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R1=22KΩ,R2=22KΩ)•到FJV3103R补

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-723-3 SOT-23-3

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V

额定电流 -30.0 mA -100 mA -100 mA

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 200 mW 260 mW 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 56 @5mA, 5V 80 @5mA, 10V 56 @5mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 56 80 56

额定功率(Max) 200 mW 260 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 250 MHz - 200 MHz

耗散功率(Max) 200 mW 600 mW 200 mW

无卤素状态 - Halogen Free -

额定功率 0.2 W - -

直流电流增益(hFE) 56 - -

长度 3 mm 1.2 mm 2.92 mm

宽度 1.8 mm 0.8 mm 1.3 mm

高度 1.2 mm 0.5 mm 0.93 mm

封装 SOT-23-3 SOT-723-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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