对比图
型号 BSM100GB120DN2 FZ400R12KS4 MG200Q2YS91
描述 IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板） IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)62毫米C系列模块，具有快速IGBT2高频开关 62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switchingGTR Module: Silicon N-Channel IGBT
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Toshiba (东芝)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
封装 Half Bridge2 AG-62MM-2 -
安装方式 - Screw -
引脚数 - 4 -
耗散功率 800 W - -
工作温度(Max) 150 ℃ 125 ℃ -
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -
耗散功率(Max) - 2500000 mW -
长度 106.4 mm 106.4 mm -
宽度 61.4 mm 61.4 mm -
高度 30 mm 36.5 mm -
封装 Half Bridge2 AG-62MM-2 -
产品生命周期 Not Recommended Active Active
包装方式 - Tray -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -
工作温度 - -40℃ ~ 125℃ -
ECCN代码 - EAR99 -