IRFR3708TRLPBF和IRFR3708TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR3708TRLPBF IRFR3708TRPBF IRFR3708TRL

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 61 A, 30 V, 0.0085 ohm, 10 V, 2 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。DPAK N-CH 30V 61A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 14 mΩ 15 mΩ -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 87 W 87 W 87W (Tc)

阈值电压 2 V 2 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 30 V -

连续漏极电流(Ids) 61A 61A 61A

上升时间 50 ns 50 ns -

输入电容(Ciss) 2417pF @15V(Vds) 2417pF @15V(Vds) 2417pF @15V(Vds)

下降时间 3.7 ns 3.7 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 87W (Tc) 87W (Tc) 87W (Tc)

额定功率 - 87 W -

长度 6.5 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 2.39 mm -

高度 2.3 mm 6.22 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Contains Lead

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