对比图
型号 FQPF7N20 STD6N95K5 FQP33N10
描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STD6N95K5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 VON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP33N10, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 4.80 A - -
漏源极电阻 690 mΩ 1 Ω 0.052 Ω
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 37W (Tc) 90 W 127 W
漏源极电压(Vds) 200 V 950 V 100 V
漏源击穿电压 200 V - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 4.80 A 9A -
输入电容(Ciss) 400pF @25V(Vds) 450pF @100V(Vds) 1150pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 37 W 90 W 127 W
耗散功率(Max) 37W (Tc) 90W (Tc) 127 W
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 4 V 4 V
上升时间 - 12 ns 195 ns
下降时间 - 21 ns 110 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
输入电容 - 450 pF -
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220-3
长度 - - 10.67 mm
宽度 - - 4.83 mm
高度 - - 9.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -