对比图
型号 AUIRF5210S IRF5210STRLPBF IRF5210L
描述 D2PAK P-CH 100V 38AINFINEON IRF5210STRLPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 40A D2-PAK, 整卷TO-262P-CH 100V 40A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-262-3
极性 P-CH P-CH P-CH
耗散功率 3.1W (Ta), 170W (Tc) 3.8 W 3.8W (Ta), 200W (Tc)
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 38A 38A 40A
上升时间 63 ns 63 ns -
输入电容(Ciss) 2780pF @25V(Vds) 2780pF @25V(Vds) 2700pF @25V(Vds)
下降时间 55 ns 55 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 170W (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
额定功率 - 3.8 W -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.06 Ω -
阈值电压 - 4 V -
漏源击穿电压 - 100 V -
额定功率(Max) - 3.1 W -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-262-3
长度 - 10.67 mm -
宽度 - 9.65 mm -
高度 - 4.83 mm -
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -