对比图
描述 NXP BFG35,115 晶体管 双极-射频, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFENXP BFQ19 晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 5.5 GHz, 1 W, 100 mA, 80 hFE射频线NPN硅高频晶体管噪声系数3.0分贝@ 500MHz的 The RF Line NPN Silicon High Frequency Transistor Noise Figure 3.0 dB@ 500MHz
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) M/A-Com
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 3 3 -
封装 TO-261-4 SOT-89 244A-01
频率 4000 MHz - -
针脚数 3 3 -
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 1 W 1 W 5 W
击穿电压(集电极-发射极) 18 V - 17 V
最小电流放大倍数(hFE) 25 @100mA, 10V 25 50 @50mA, 5V
额定功率(Max) 1 W - -
直流电流增益(hFE) 70 80 -
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 1000 mW - -
测试频率 - 500 MHz -
增益 - - 13 dB
长度 6.7 mm - -
宽度 3.7 mm - -
高度 1.7 mm - -
封装 TO-261-4 SOT-89 244A-01
工作温度 175℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -