BC847BDW1T1和BC847BDW1T3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC847BDW1T1 BC847BDW1T3G BC847BDW1T1G

描述 双路通用晶体管 Dual General Purpose TransistorsON SEMICONDUCTOR  BC847BDW1T3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, Dual NPN, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 200 hFE 新ON SEMICONDUCTOR  BC847BDW1T1G.  双极性晶体管阵列, NPN, 双路, 45V, SOT363

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-88 SC-70-6 SC-70-6

额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V 45.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 380 mW 380 mW 380 mW

频率 - 100 MHz 100 MHz

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

针脚数 - 6 6

极性 - NPN NPN

耗散功率 - 380 mW 380 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 45 V 45 V

集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) - 380 mW 380 mW

直流电流增益(hFE) - 200 450

封装 SC-88 SC-70-6 SC-70-6

长度 - 2 mm 2 mm

宽度 - 1.25 mm 1.25 mm

高度 - 0.95 mm 0.9 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台